|
|
Innerhalb der elektrostatischen Ausfälle und innerhalb der Kategorie "Durch elektrostatische Ladung des gefährdeten Geräts bzw. Bauteils selbst verursacht" lassen sich wiederum 3 Unterkategorien unterscheiden:
Diese Art von Ausfall tritt auf, wenn die Oxidschicht am Gatter eines MOS-Transistors oder einer ähnlichen Halbleiterkomponente beschädigt oder zerstört wird.
Ein derartiger Ausfall wird genau betrachtet nicht durch unkontrollierte Entladung elektrostatischer Ladung verursacht, sondern durch den Potenzialunterschied zu der auf der Halbleiterkomponente vorhandenen elektrostatischen Ladung.
Diese Art von Ausfall tritt auf, wenn am PN-Übergang eine übermäßige Spannung in Rückwärtsrichtung (d. h. zur normalen Stromflussrichtung entgegengesetzt) angelegt wird und die dadurch freigesetzte Wärme den PN-Übergang beschädigt oder zerstört.
Zu einem Ausfall kann es allerdings auch dann kommen, wenn am PN-Übergang in der normalen Richtung ein übermäßiger Strom fließt.
Diese Art von Ausfall tritt auf, wenn ein übermäßiger Strom zum Schmelzen von Leiterbahnen in der Halbleiterkomponente oder zur unkontrollierten Bildung von Kurzschlussbrücken zwischen solchen Leiterbahnen führt.
