Home>Fallstudie-Index>Erfahrungen des Instituts für Physikalische Elektronik der Universität Stuttgart
Dr.-Ing. Gerhard Bilger
Das Institut für Physikalische Elektronik der Universität Stuttgart (ipe) arbeitet unter der Leitung von Prof. Dr. habil. Jürgen H. Werner innerhalb der Fakultät Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik der Universität Stuttgart mit ca. 40 MitarbeiterInnen auf den Gebieten der Mikro- und Optoelektronik, Dünnschicht- und Halbleitertechnologie. Die Photovoltaik-Forschung am Institut für Physikalische Elektronik konzentriert sich auf Solarzellen aus Silizium mit fertigungsnahen Technologien. Die Bandbreite der Forschungsthemen reicht von hocheffizienten einkristallinen Si-Zellen über Siebdruckprozesse für multikristalline Zellen bis zu flexiblen Modulen auf der Basis mikrokristallinen, amorphen und nanokristallinen Siliziums. Um die Vorhersage der Wirtschaftlichkeit von PV-Anlagen zu verbessern, untersucht das ipe auch den Ertrag verschiedener PV-Technologien an Standorten mit unterschiedlichen klimatischen Bedingungen.
Das ipe verfügt einerseits über umfassende Kompetenzen und eine hervorragende Ausstattung in der Halbleiter- und Materialanalytik, insbesondere für dünne Schichten und Laseranwendungen. Anderseits besitzt das ipe ein breites Spektrum von Anlagen und Verfahren zur Herstellung neuartiger Solarzellen, Photodetektoren und mikroelektronischer Bauelemente. Das ipe arbeitet mit zahlreichen Photovoltaikfirmen zusammen, um Forschungsergebnisse in bessere Produkte und kostengünstigeren Solarstrom umzusetzen. Kunden aus der Industrie wissen die hervorragende Ausstattung und die Erfahrung des ipe auf diesem Gebiet zu schätzen. Neben öffentlich geförderten Projekten bearbeitet das ipe daher ständig auch Entwicklungsaufträge industrieller Partner und deren aktuelle Fragen zur Charakterisierung und Herstellung von Solarzellen und Halbleiterschichten.
Dr.-Ing. Gerhard Bilger beschloss das Lasermikroskop VK 9700 für seine analytischen Auswertungen einzusetzen. Das Laserscanningmikroskop wird speziell bei folgenden Untersuchungen verwendet:
• Tiefenprofilkratern bei der Sekundär Ionen Massenspektrometer (SIMS) Analyse an ultraflachen Gateoxiden für Halbleiterbauelemente
• Tiefenprofilen bei Antireflex Schichten (ARC) von optischen Bauelementen, speziell bei Solarzellen
• Laserstrukturierungen von ZnO als ARC auf Solarzellen
• Laserstrukturierten selektiven Emittern von Solarzellen
• nm - Precursor - Schichten für die Dotierung von Solarzellen
• Laser-Transfer-Kontakten (LTC) von Metall - Saatschichten auf Solarzellen für ultrafeine Gitterlinien zur Stromsammlung auf der Vorderseite der Solarzelle
• Selektiven Emitter Strukturierungen auf Solarzellen
• Laser - Kantenisolierungen bei Solarzellen
• Laser - Rekristallisierung von Phosphor dotiertem ZnO für p - Typ dotiertes ZnO
• Laser gefeuerten Kontakten (LFC’s) auf der Rückseite von Solarzellen
• Siebdruck - Gitterlinien zur Stromsammlung auf der Solarzellenoberfläche
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Dr.-Ing. Gerhard Bilger beschloss das Lasermikroskop VK 9700 für seine analytischen Auswertungen einzusetzen. Das Laserscanningmikroskop wird speziell bei folgenden Untersuchungen verwendet: 
